什么是PECVD？

PECVD即等离子增强化学气相沉积或等离子体辅助化学气相沉积，PECVD主要通过射频电源使工艺气体离子化，然后离子化后的气体通过扩散到达衬底表面，进而发生化学反应，从而完成薄膜生长。

射频电源与PECVD之间的关系？

射频电源是PECVD薄膜沉积设备的核心部件，为设备提供稳定的射频源，以此生成辉光放电等离子体。

相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。该技术在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上产生辉光放电，并利用辉光放电使晶圆升温到预定温度。

然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在晶圆表面形成固态薄膜。在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至晶圆表面，在射频电源激发的电场作用下分解成电子、离子和活性基团等。具体而言：PECVD一般在真空腔中进行，腔内放置平行且间距若干英寸的托盘。硅片置于托盘上，上电极施加RF功率。当原气体流过气体主机和沉积中部时会产生等离子体，多余的气体通过下面电极的周围排出。有时，反应气体从下部电极周边引入，从电极中部排出。

射频功率越大离子轰击能量越大，有利于淀积膜质量的改善。功率增加可增强气体中自由基浓度，提高沉积速率，当功率增加到一定程度，反应气体完全电离，自由基达到饱和，淀积速率则趋于稳定