目前固态射频功率源使用的是LDMOS材料，其成本与磁控管方案已相近，考虑到长期运行成本，在某些应用场景中甚至低于磁控管方案。最近两年，一种新材料GaN（氮化镓）被用于批量生产固态射频能量器件，相比LDMOS其效率更有大幅提升。沃特塞恩在不断挖掘LDMOS潜力的同时，对GaN材料的研发进展和实际表现也保持了高度关注，后续也将推出基于新材料的产品。