近日，成都沃特塞恩电子技术有限公司（以下简称：沃特塞恩）申请的发明专利“一种带有偏压引线的样品图组件及MPCVD系统”（专利号：ZL 2023 1 0318067.9）成功获得国家知识产权局授权。发明专利标志着一个企业的自主创新能力和水平，是专业知识和行业经验的结晶，有助于提升企业的软实力和市场竞争力。
本发明提供了一种带有偏压引线的样品台组件及 MPCVD 系统，属于微波等离子体技术领域。上述带有偏压引线的样品台组件包括台板、底座、基片台及支撑筒；台板与底座连接，基片台设置在台板上，并与台板绝缘连接，支撑筒的端部与底座连接。台板内部设置有引出线通道，底座内部设置有引入线通道，引出线通道内设置有偏压引出线，引入线通道与支撑筒连通，引入线通道及支撑筒内设置有偏压引入线；偏压引出线与台板绝缘设置，偏压引出线与底座及支撑筒绝缘设置。偏压引出线的一端与偏压引入线电连接，另一端与基片台电连接。由于偏压引入线及偏压引出线均为隐藏式设计，其大大降低了偏压线对腔体内电场的影响，从而为 MPCVD 系统的高效镀膜提供了保障。截止目前为止，公司累计拥有专利269项，其中发明专利33项，实用新型专利128项，外观设计专利108项。自沃特塞恩成立以来，我们一直坚持不懈地努力投入产品研发和制造中，在每一个细节中渗透着“工匠精神”。未来，沃特塞恩仍会以创新技术为支撑，加强知识产权的管理和保护，为公司的高质量发展持续赋能。
