目前，沉积金刚石膜的方法有很多，为什么mpcvd设备能够在众多设备中脱颖而出呢，沃特塞恩微波源为你揭秘：

金刚石也被誉为半导体，这是因为它有着宽带隙和高击穿电场以及高载流子迁移率和高热导率的特点。但是，在企业的使用过程中，大量需要的是大尺寸和高品质单晶金刚石，成为了制约其应用的主要瓶颈。所以，在不断的尝试与努力中，MPCVD设备由于它的微波能量没有污染，气体原料相对纯净，并且没有催化剂和杂质的掺入等一些压倒性的优势，成为众多制备方法中很有发展前景的技术之一。MPCVD设备主要是无极放电，所以等离子体纯净，同时它的微波放电区集中而不扩展，所以就能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的大动能低，所以不会蚀刻已生成的金刚石，对金刚石起到保护作用。

由于MPCVD设备的微波功率调节连续平缓，使得沉积温度可以连续稳定变化，这就让设备克服了直流电弧法中因电弧的点火及熄灭，而且对衬底和金刚石膜的巨大热冲击造成在DC plasma-jet CVD中金刚石膜很容易从基片上脱落的缺点，使得金刚石膜不容易脱落。而与热丝法HFCVD相比，MPCVD设备避免了热丝法中因为热金属丝蒸发而对金刚石膜的产生污染，以及热金属丝对强腐蚀性气体，比如一些高浓度氧和卤素气体等十分敏感的缺点，使得在工艺中能够使用的反应气体的种类比HFCVD中多许多，就会造成一些不必要的损失。与氧-乙炔燃烧火焰法相比较，通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，因而MPCVD设备的微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有设备中显得十分的突出。